微控扩散炉是半导体器件及大规模集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备，相对程控扩散炉来讲控制更精确，功能更齐全。

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微控扩散炉技术指标  
1.1工作温度：200～1300℃

1.2适用硅片尺寸：4～6英寸

1.3装片数量：正片100～300片/管
1.4炉体恒温区：300～1000mm 
1.5恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
1.6单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
1.7最大可控升温速度：15℃/min
1.8最大降温速度：5℃/min（900～1300℃）

1.9气源系统：进口配件、自动轨道焊接

1.10控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统，中文操作界面，方便简洁）

1.11 氧化工艺：片内≤±2%，片间≤±3%，批间≤±3%，

    P预扩：方块电阻 6~20，片内片间≤±2.5%，片间≤±4%

可选配置：

1.1工艺管数量：1～4管

1.2工作台：有净化/无净化

1.3进出舟模式：手动送片/自动送片（悬臂模式、软着陆模式）
1.4适用工艺：氧化（干氧、湿氧）、扩散（磷扩、硼扩）、合金（氮气、氮氢）、退火等

1.5是否配置氢氧合成外点火炉

1.6是否配置氢氧合成硬件保护装置

1.7是否配置氢气燃烧装置