LPCVD是在低压加热条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。LPCVD广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业中。

LPCVD技术指标
1.1工作温度：300～900℃
1.2适用硅片尺寸：4～6英寸
1.3装片数量：正片100～150片/管
1.4恒温区长度：1000mm

1.5恒温区稳定性：≤±0.5℃
1.6极限真空度：6mTorr
1.7淀积膜均匀性：片内≤±3%，片间≤±3%，批间≤±3%，

1.8气源系统：进口配件、自动轨道焊接

1.9控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统，中文操作界面，方便简洁）

可选配置：
1.1工艺管数量：1～4管

1.2进出舟模式：手动送片/自动送片（悬臂模式、软着陆模式）

1.3控压模式：MKS蝶阀控制模式和N2吹扫模式

1.4适用工艺：Poly、D-Poly、Si3N4、TEOS、PSG、SIPOS、LTO等