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■主要用途：放大、开关等。

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■绝对最大额定值（Ta＝25℃） T3904 —NPN silicon — SOT-23 项 目 符 号 额定值 单 位 集电极 —基极电压 VCBO 60 V 3集电极 —发射极电压 VCEO40V 发射极 —基极电压 集电极电流 集电极耗散功率 结 温 VEBO IC PC TJ 6 200 225 150 V mA mW ℃ 1 2 存储温度 Tstg ﹣55~150 ℃
1.基极 ２.发射极 ３.集电极
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■电参数（Ta=25℃）项 目 符 号 最小值 典型值最大值 单位 测 试 条 件直流电流增益hFE100300VCE= 1V，Ic= 10mA集电极-基极截止电流 ICBO发射极-基极截止电流 IEBO0.05 μA VCB= 30V，IE=00.05 μA VEB= 3V，Ic=0集电极-基极击穿电压 BVCBO集电极-发射极击穿电压 BVCEO发射极-基极击穿电压 BVEBO集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)VCE(sat)60406 0.20.3VVVVVIc= 0.01mA，IE=0Ic= 1mA，IB=0IE= 0.01mA，Ic=0Ic= 10mA，IB= 1mAIc= 50mA，IB= 5mA基极-发射极饱和压降 VBE(sat)VBE(sat)0.650.85 V0.95 VIc= 10mA, IB= 1mAIc= 50mA，IB= 5mA电流增益-带宽乘积 fT300MHz Ic= 10mA，VCE= 20V共基极输出电容噪声系数延时时间上升时间CobNFt dt r453535PFdBnsnsVCB= 5V, IE=0, f =1MHz VCE=5V,IC= 0.1mA,f =15.7KHz, Rg=1KΩ VCC=
3.0 V,VBE= -0.5 VIC= 10 mA, IB1=
1.0 mA存储时间t s200 nsVCC=
3.0 V, IC= 10 mA下降时间t f50nsIB1= IB2=
1.0 mA
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■hFE 分档及其标志打印标识分 档 1AM hFE 100~300 最小包装量：3000PCS/RL售后服务：本公司送货到位，请收货单位核对验准。如产品发现不合格，请及时反馈，如情况属实，请于在五天内退回本公司。