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■主要用途：通用放大、开关等。

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■绝对最大额定值（Ta＝25℃） T2222A —NPN silicon — SOT-23 项 目 符 号 额定值 单 位 集电极 —基极电压 VCBO 75 V 3集电极 —发射极电压 VCEO40V 发射极 —基极电压 集电极电流 集电极耗散功率 结 温 VEBO ICPC TJ 6 600350 150 V mAmW ℃ 1 2 存储温度 Tstg ﹣55~150 ℃
1.基极 ２.发射极
3.集电极
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■电参数（Ta=25℃）项 目 符 号 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 直流电流增益hFE1hFE210040300 VCE= 10V，Ic= 150mAVCE= 10V，Ic= 500mA 集电极-基极截止电流 ICBO发射极-基极截止电流 IEBO0.01 μA VCB= 60V，IE=00.01 μA VEB= 3V，Ic=0集电极-基极击穿电压 BVCBO集电极-发射极击穿电压 BVCEO发射极-基极击穿电压 BVEBO集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)VCE(sat)基极-发射极饱和压降 VBE(sat)VBE(sat)75406 0.6 0.311.22VVVVVVVIc= 0.01mA，IE=0Ic= 10mA，IB=0IE= 0.01mA，Ic=0Ic= 150mA，IB= 15mAIc= 500mA，IB= 50mAIc= 150mA, IB= 15mAIc= 500mA，IB= 50mA电流增益-带宽乘积 fT300MHz Ic= 20mA，VCE= 20V共基极输出电容 开启时间Cobton835PFnsVCB= 10V, IE=0, f = 1MHzVCC= 30V，IC= 150mA，IB1= 15mA关断开关toff285 nsVCC= 30V，IC= 150mA，IB1=IB2= 15mA
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■hFE 分档及其标识打印标识 1P分 档 hFE1 100~300