■■主要用途：放大、开关等。

■■绝对最大额定值（Ta＝25℃）

T3904

—NPN silicon —

SOT-23

项

目

符 号 额定值 单 位

集电极 —基极电压

VCBO

60

V

3

集电极 —发射极电压 VCEO

40

V

发射极 —基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结 温

VEBO

IC

PC

TJ

6

200

225

150

V

mA

mW

℃

1

2

存储温度

Tstg

﹣55~150 ℃

1.基极 ２.发射极 ３.集电极

■■电参数（Ta=25℃）

项 目 符 号 最小值 典型值最大值 单位

测 试 条 件

直流电流增益

hFE

100

300

VCE= 1V，Ic= 10mA

集电极-基极截止电流 ICBO

发射极-基极截止电流 IEBO

0.05 μA VCB= 30V，IE=0

0.05 μA VEB= 3V，Ic=0

集电极-基极击穿电压 BVCBO

集电极-发射极击穿电压 BVCEO

发射极-基极击穿电压 BVEBO

集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)

VCE(sat)

60

40

6

0.2

0.3

V

V

V

V

V

Ic= 0.01mA，IE=0

Ic= 1mA，IB=0

IE= 0.01mA，Ic=0

Ic= 10mA，IB= 1mA

Ic= 50mA，IB= 5mA

基极-发射极饱和压降 VBE(sat)

VBE(sat)

0.65

0.85 V

0.95 V

Ic= 10mA, IB= 1mA

Ic= 50mA，IB= 5mA

电流增益-带宽乘积 fT

300

MHz Ic= 10mA，VCE= 20V

共基极输出电容

噪声系数

延时时间

上升时间

Cob

NF

t d

t r

4

5

35

35

PF

dB

ns

ns

VCB= 5V, IE=0, f =1MHz

VCE=5V,IC= 0.1mA,f =15.7KHz, Rg=1KΩ

VCC= 3.0 V,VBE= -0.5 V

IC= 10 mA, IB1= 1.0 mA

存储时间

t s

200 ns

VCC= 3.0 V, IC= 10 mA

下降时间

t f

50

ns

IB1= IB2= 1.0 mA

■■hFE 分档及其标志

打印标识

分 档

1AM

hFE 100~300

最小包装量：3000PCS/RL售后服务：本公司送货到位，请收货单位核对验准。如产品发现不合格，请及时反馈，如情况属实，请于在五天内退回本公司。