本设备是利用真空磁控溅射镀膜方式,可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、金属等材料表面镀制各种金属、非金属、化合物薄膜材料。如Al、Au、Pt、Cr、Ti、Ni、Cu、NiCr、TiW、W、SiO、AlO、TaN、ITO、AZO等,沉积的薄膜具有良好的均匀性、附着力,设备具有溅射速率快、基片升温低、加热稳定等特点。
设备配置如下:
序号 |
项目 |
基本型 |
LOADLOCK型 |
1 |
镀膜室尺寸 |
∮500 |
∮500 |
2 |
真空室数量 |
1 |
2 |
3 |
镀膜方向 |
上垂直安装阴极,向下溅射 |
上垂直安装阴极,向下溅射 |
4 |
阴极尺寸 |
∮50、∮100、∮160 |
∮50、∮100、∮160 |
5 |
阴极数量 |
2-6个 |
2-6个 |
6 |
真空系统 |
粗抽+分子泵组 |
粗抽+分子泵组 |
7 |
工艺气体路数 |
4路 |
4路 |
8 |
压力检测 |
MKS 1Torr |
MKS 0.5Torr |
9 |
极限真空度 |
8*10-5Pa |
8*10-5Pa |
10 |
镀膜电源 |
直流、中频、射频 |
直流、中频、射频 |
11 |
加热温度 |
最高350度 |
最高350度 |
12 |
膜层数量 |
单层-多层 |
单层-多层 |
13 |
膜层种类 |
金属膜、反应膜、绝缘膜 |
金属膜、反应膜、绝缘膜 |
14 |
样片尺寸 |
最大8寸 |
最大8寸 |
15 |
样片数量 |
单片为主 |
单片为主 |
16 |
溅射不均匀性 |
≤±5% |
≤±3% |
17 |
控制系统 |
PC+PLC |
PC+PLC |
18 |
控制方式 |
自动+手动 |
自动+手动 |