200mm真空快速退火炉(快速热处理炉)

(200 mm) 版本

应用

   RTA (快速热退火)

   RTO (快速热氧化)

   扩散,

   化合物半导体退火

   氮化, 硅化, 硒化, 硫化

   结晶化及致密化

基本参数

   真空快速退火炉(快速热处理炉)可处理200x200 mm² 硅片

   真空快速退火炉(快速热处理炉)落地设计，占地面积小

   真空快速退火炉(快速热处理炉)高可靠性，低拥有成本

   真空快速退火炉(快速热处理炉)不锈钢冷腔室壁技术:

   真空快速退火炉(快速热处理炉)高工艺复现性

   真空快速退火炉(快速热处理炉)超洁净及无污染环境.

   真空快速退火炉(快速热处理炉)高冷却速率，低记忆效应

   真空快速退火炉(快速热处理炉)可提供高真空版本 (10-6 mbar)

   真空快速退火炉(快速热处理炉)高温计和热电偶控制

   真空快速退火炉(快速热处理炉)快速数字PID温度控制器

   真空快速退火炉(快速热处理炉)边缘高温计视口，确保用于化合物半导体和小型样品

    基片托的温度控制.

性能 & 特点

温度范围: 室温 至 1300°C(± 1°C)

    升温速率达 150°C/s

    带质量流量控制器的气体混合性能

    真空范围: 常压 至 10-6 Torr