快速退火炉AS-Master (Annealsys)

200mm多功能快速退火炉(RTP设备)

RTCVD 性能 (可选)

选项：可增加基片旋转功能

室温至1500°C 降至 10-6 Torr.

应用

   快速热处理 (RTA, RTO...)

   SiC 接触式退火,碳化

   化合物半导体退火

   离子注入质量控制

   RTCVD (poly silicon, SiO2, SiNx,…)

   其他

具体参数

    AS-Master快速热处理设备，功能强大，处理范围广

    包括从退火工艺至快速热化学气相沉积CVD工艺

    高温版本可处理最高1500°C的退火工艺并允许

    研发新工艺。经要求，可提供方形腔室用于处理

    较大的方形或矩形样品

    冷腔室壁技术允许在高度洁净及无污染环境下

    工艺复现性高

    可提供进样室和集成模块版本改进工艺

    环境清洁

    温度范围扩大，真空性能(大气 10-7 Torr)  

    As-Master的气体混合性能适用于大范围RTP和

    RTCVD 工艺。  

    高温计和热点偶温度测量搭配快速数字化

    PID 温度控制器，使设备拥有较高且稳定的温度精度  

    手工装载盒到盒版本，适用于工艺研发  

    且易转入规模生产。  

性能 & 特征

温度范围: 室温 至 1500°C

    升温速率 200°C/s

    带质量流量控制器的气体混合性能

    真空范围:大气 至 10-7 Torr