SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。
SI 500是高刻蚀速率、低损伤刻蚀设备，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。
主要特点
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高速率刻蚀
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低损伤
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高深宽比刻蚀
（可以实现 20:1的高深宽比结构刻蚀）
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高工艺一致性
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平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
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远程控制
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应用领域：III-V半导体化合物，微光学，微系统
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SENTECH高级等离子设备操作软件
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穿墙式安装方式
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干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
系统配置
: 编号 | 设备配置 | 具体指标 |
1 | 晶片尺寸 | 8"，使用载盘可以适用于2",
3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品) |
2 | 等离子源 | PTSA ICP等离子源 13.56 MHz, 最大功率1200 W 集成自动匹配网络 |
3 | 射频偏置电源 | 13.56 MHz, 600 W |
4 | 电极温控 | -30ºC ~ 250ºC （低温可选-150 ºC） |
5 | 反应腔本底真空 | ≤ 1 x 10-6 mbar |
6 | 气体管路 | 标准气柜最多可以配置16路气体管道。（可以增加气柜） |
7 | PC | Windows 7 Professional SENTECH高级等离子设备操作软件 |
8 | 预真空室 | 配置。 |
9 | He晶片冷却 | 配置。 |
10 | 机械钳 | 配置。 |
11 | 深硅刻蚀典型指标 | - 刻蚀速率： 2~5 µm/min - 选择比(SiO2)： 90:1 |
特性
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全自动/手动过程控制
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Recipe控制刻蚀过程
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智能过程控制，包括跳转、循环调用recipe
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多用户权限设置
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数据资料记录
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LAN网络接口
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Windows NT 操作软件
选项
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增加气路
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PTSA源石英窗口
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在线监测窗口，穿过PTSA源
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循环冷却器，用于下电极温度控制 (-30ºC to 80ºC)
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高密度等离子体磁性衬板
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对等离子源和磁性衬板的外部升高装置
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Cassette到cassette操作方式
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穿墙式安装方式
干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
