SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。
SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。
SI 500 D主要特点：
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适用于8寸以及以下晶片
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低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°C
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高速率沉积
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低损伤
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薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调
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平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
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SENTECH高级等离子设备操作软件
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穿墙式安装方式
系统配置：
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配置预真空锁（loadlock）， 带有取放机械手
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基底温度从室温到350ºC 可控
编号 | 设备配置 | 具体指标 |
1 | 晶片尺寸 | 8"，使用载盘可以适用于2",
3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品) |
2 | 等离子源 | PTSA ICP等离子源 13.56 MHz, 最大功率1200 W |
3 | 电极温控 | 20ºC ~ 350ºC |
4 | 反应腔本底真空 | ≤ 1 x 10-6 mbar |
5 | 气体管路 | 6 MFC控制气路(SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4) |
6 | 预真空室 | 配置。 |
7 | He晶片冷却 | 配置。 |
8 | 机械钳 | 配置。 |
9 | PC | Windows 7 Professional SENTECH高级等离子设备操作软件 |
特性：
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全自动/手动过程控制
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Recipe控制沉积过程
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智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。
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多用户权限设置
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数据资料记录
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LAN网络接口
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Windows NT 操作软件
选项：
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激光干涉终点探测系统
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基座射频偏压可选
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增加气路
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Cassette到cassette操作方式
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穿墙式安装
