半绝缘碳化硅衬底片生产商 2英寸测试级SiC衬底片

SiC碳化硅晶体结构决定了其独特的物理，相对于Si和GaAs，SiC碳化硅材料拥有更为优越的物理性质；禁带宽度大，接近于Si的3倍，保证器件在高温工作下的长期可靠；击穿场强高，是Si的1O倍，保证器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是Si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过Si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。

半绝缘碳化硅衬底片生产商 2英寸测试级SiC衬底片

恒迈瑞SiC碳化硅衬底片主要分为导电型和半绝缘型，导电型SiC衬底以n型衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件。