AlGaN/GaN on SiC碳化硅基GaN外延片生产厂家 RF HEMT

苏州恒迈瑞供应RF HEMT应用碳化硅射频高电子迁移管GaN 氮化镓外延片，尺寸涵盖4英寸及6英寸，SiC碳化硅与GaN氮化镓由于晶格失配较小，导电、热导率高，是主流的GaN外延生长衬底之一。其中，导电型SiC衬底主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件，比如5G基站中的PA、雷达等。

氮化镓作为第三代半导体材料，具有远优于一、二代半导体的禁带宽度、导通电阻、热导率。氮化镓的禁带宽度是硅的3倍、亦高于碳化硅；击穿电场为硅的10倍、较硅可耐受更高电压；因此，同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻几乎比硅器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗；同时，氮化镓是少见的同时具备高电子迁移率（1,250 cm2/Vs）和高饱和电子漂流率（2.2*107cm/s）的材料，意味着其所能承载的电流密度更高，因此能够在同尺寸的晶体管中产生更高的射频频率；氮化镓的热导率为砷化镓的4倍左右，且具备高热稳定性等优势。