碳化硅基氮化镓外延片生产商 微波射频RF器件

苏州恒迈瑞材料科技为国内外客户提供4英寸碳化硅基氮化镓外延片生长定制，采用产品级碳化硅衬底材料，公司致力于高性能半导体材料的外延生产，除GaN-on-SiC氮化镓外延片外，同时可提供4-8英寸硅基氮化镓外延片、4至6英寸蓝宝石基氮化镓外延片，可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。

GaN氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新一代半导体材料。具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质，在光电子、功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

外延片指在单晶衬底上生长一层新单晶形成的产品，外延片决定器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料。外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。外延片制造商在衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）设备等进行晶体外延生长、制成外延片。

​氮化镓（GaN）本身和硅材料（Si）对此起来具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高等特点。而硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
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