氮化镓复合衬底片厂商-GaN衬底片生产商

苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸和6英寸。

氮化镓复合衬底片厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um

晶向：C-plane(0001)±0.5°

位错密度：≤5x108cm-2

氮化镓材料可以使用在功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。

氮化镓复合衬底片厂商-GaN衬底片生产商

一片 2 英寸（约 5 厘米）直径的白色半透明、塑料质感的小圆片，在国际市场上的售价居然可以达到5,000到7,000美元；不但供不应求，而且由于国际贸易的技术壁垒，一片难求——这当然不是普通的塑料片，是被称为“第三代半导体材料”的氮化镓晶片。

氮化镓是一种人造材料，自然形成氮化镓的条件极为苛刻，需要2,000多度的高温和近万个大气压的条件才能用金属镓和氮气合成为氮化镓，所以在自然界几乎不可能实现。1998年，美国科学家研制出了首个氮化镓晶体管。然而，氮化镓禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。