蓝宝石氮化镓厚膜晶片工厂GaN-On-Sapphire晶圆厂家

苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂，N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶圆片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。

蓝宝石氮化镓衬底尺寸：4 inch 100mm±0.1mm
蓝宝石衬底厚度：650um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度：≤5x10⁸cm^-2
包装方式：晶圆盒或Cassette盒
抛光要求：单抛/双抛

GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG（因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）。