晶体材料

Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown,高纯单晶

晶向

(1 0 0) / (1 1 1)

掺杂

Undoped

Zn

Si / Te

直径

50~150mm ± 0.25mm（2"、3"、4"、6"）

厚度

325 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um

晶向

（100）α0±β
0,
off angle α and accuracy β upon request

电阻率

(1-30)x107
Ω.cm

(1-10)x10-3
Ω.cm

迁移率

≥ 5000 cm2/
V·sec

N / A

掺杂浓度

N / A

(0.1-3.0)×1018
/cm3

腐蚀缺陷密度

≤ 5·10 3cm-2

≤
7·104cm-2

≤ 5·102
cm-2

主定位边

(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm
/22±1.0mm/32.5±1.0mm

次定位边

(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/
18±1.0mm

正面

Polished in Epi-ready Prime grade,外延生长级抛光

反面

Polished / Lapping or Etched,抛光/研磨或腐蚀

Epi-ready

Yes