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      根据实验判据 ， 对 P MMA、 L DP E、 HD P E和 P T F E  

等几种介质窗材料在微波重复频率为 1 0 0 H z和

5 0 H z 下进行微波破坏实验。从实验结果看， 微波重

复频率影响击穿 阈值 ， 同一材料在 1 0 0 H z 下 的击穿

阈值 要明显小于 5 0 H z时， 随着微波重复频率的增

高 ， 材料的击穿 阈值有下降 的趋势。在相 同微波作

用条件下 ， 上述几种材料的击穿阈值 由高到低依次

是 P T F E、 HD P E、 L D P E和 P MMA。P T F E不仅击穿 阈

值最高 ， 而且在介质窗材料出现明显的击穿痕迹时，  

其累计击穿次数要 明显高于其它几种材料 ， P MM A  

材料在相同击穿次数时破坏最严重。

  

 

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      实验中可以看出， 材料 的破坏起始发生在介质

的表面， 然后呈树枝状在同一深度上沿 电场方向发

展， 在深度上沿微波传播方向发展。材料的表面破

坏与内部破坏情况相差较大， 从材料 的表面来看破

坏只是产生于电场强度畸变的区域 ， 沿 电场方向延

伸， 与内部破坏相 比， 破坏范围不大、 树枝状不够 明

显， 而随着深度的增加 ， 材料 内部的破坏清晰可见，  

且树枝状明显， 破坏通道沿电场和微波传播两个方

向向材料内部扩展。其它 电压形式下介质材料内电

树枝的产生、 发展状况已有学者进行研究¨   。