广州永泽微波能设备有限公司（官网www.gz-yongze.com)

对微波击穿破坏后的试品， 从试品中心部分取

样后进行形貌分析 ， 通过观察表面介质材料的破坏

状况 ， 分析材料破坏通道与微波 电场问的关系。选

取破坏严重的 P T F E和 L D P E的宏观破坏图像如图3  

所示， 其中 P T F E累计击 穿 7 4 5 0次， L D P E累计击穿

4 8 1 0次。图中标 出了微波 电场  的方 向 ， E   在 图

示的方向上按正弦规律交替变化。  

 

 

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    由实验可以看出微波击穿破坏后材料表面的破

坏通道呈现明显的规律， 破坏通道成树枝状且与微

波电场的交变方向平行 ， 材料中心处的破坏最严重。  

材料表面的树枝状破坏沿 电场方向发展 ， 这是 由于

在介质表面击穿的过程中， 电子受到电场力的作用

不断地撞击材料表面， 最终形成沿电场方 向的破坏

通道。由于在微波天线设计时， 窗 口中心处的 电场

强度最大，二次电子倍增最容易发生，因而该部位的破坏也最严重。